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PET真空镀膜设备相关问题的解决方法

PET真空镀膜设备平均水消耗量为0.6m3/小时，每小时平均耗电：850W，每30天更换5次过滤芯，更换过滤芯数量20只，每天消耗过滤芯数量：0.7只，过滤芯可后级更换前级，更换周期也可根据具体情况延长。

设备在交付时会提供操作、调试、维修等一系列***技术资料，包括操作和维修手册。维修手册中含电路图、气路图、水管路图，并列出控制设备、控制元件、易耗品以及易磨损的部件名称、型号、规格、制造商或供应商，以便用户可以随时修理与维护清洗设备。

真空镀膜设备离子镀的类型及特点

离子镀是结合真空蒸镀和溅射镀两种技术而发展起来的沉积技术。在真空条件下，采用适当的方式使镀膜材料蒸发，利用气体放电使工作气体和被蒸发物质部分电离，在气体离子和被蒸发物质离子的轰击下，蒸发物质或其反应产物在基体上沉积成膜。离子镀的基本过程包括镀膜材料的蒸发、离子化、离子加速、离子轰击工件表面成膜。根据镀膜材料不同的蒸发方式和气体的离化方式，构成了不同类型的离子镀，下表是几种主要的离子镀。离子镀具有镀层与基体附着性能好、绕射性能好、可镀材质广、沉积速率快等优点。

表离子镀的种类及其特点

种类蒸发源离化方法工作环境特点用途

直流放电法电阻辉光放电dc:0.1kv～5kv惰性气体1pa，0.25ma/cm2结构简单，膜层结合力强，但镀件温升高，分散性差！耐热，润滑等镀件

弧光放电法电子束、灯丝弧光放电dc:100v高真空1.33x10-4pa离化率高，易制成反应膜，可在高真空下成膜，利于提高质量切削工具、金属装饰等镀件

空心阴极法空心阴极等离子体电子束dc:0v～200v惰性气体或反应气体离化率高，蒸发速度大，易获得高纯度膜层装饰、耐磨等镀件

调频激励法电阻、电子束射频电场13.56mhzdc:0.1kv～5kv惰性气体或反应气体离化率高，膜层结合力强，镀件温升低，但分散性差光学、半导体等镀件

电场蒸发法电子束二次电子dc:1kv～5kv真空不纯气体少，能形成较好的膜电子元件

多阴极法电阻、电子束热电子dc:0v～5kv惰性气体或反应气体低速电子离化效果好装饰、电子、精密机械等零件

聚焦离子束法电阻聚集离子束dc:0v～5kv惰性气体因离子聚束，膜层结合力强电子元件

活性反应法电子束二次电子dc:200v反应气体o2、n2、ch4、c2h4等金属与反应气体组合能制备多种倾倒物膜层电子、装饰、耐磨等镀件

中频磁控溅射真空镀膜机镀膜技术介绍

很多人不知道，磁控溅射真空镀膜机镀膜技术也分类型的，镀的产品不一样，使用的磁控溅射技术也是有差别，今天至成真空小编为大将讲解一下中频磁控溅射真空镀膜机镀膜技术，希望能帮到大家。

中频磁控溅射真空镀膜机镀膜技术分靶源分平衡和非平衡式，平衡式靶源镀膜均匀，非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。平衡靶源多用于半导体光学膜，非平衡多用于磨损装饰膜。不管平衡非平衡，若磁铁静止，其磁场特性决定一般靶材利用率小于30%。为增大靶材利用率，可采用旋转磁场。但旋转磁场需要旋转机构，同时溅射速率要减小。旋转磁场多用于大型或贵重靶。如半导体膜溅射。对于小型设备和一般工业设备，多用磁场静止靶源。

用磁控靶源溅射金属和合金很容易，点火和溅射很方便。这是因为靶（阴极），等离子体，和被溅零件真空腔体可形成回路。但若溅射绝缘体如陶瓷则回路断了。于是人们采用高频电源，回路中加入很强的电容。这样在绝缘回路中靶材成了一个电容。但高频磁控溅射电源昂贵，溅射速率很小，同时接地技术很复杂，因而难大规模采用。为解决此问题，发明了磁控反应溅射。就是用金属靶，加入Ar气和反应气体如氮气或氧气。当金属靶材撞向零件时由于能量转化，与反应气体化合生成氮化物或氧化物。

PACVD硬质涂层真空镀膜机系统的特点：

（1）2个等离子激发源（射频，直/直流脉冲）（2）安装在两边的2闭合场非平衡磁控管溅射（3）带有一个前门的六角形真空室，保证一个洁净的环境（4）干式真空系统设计安装在一个单独的空间，处理高吞吐量的碳氢化合物和其他工艺气体（5）基材和导电与非导电涂层及组合原位清洗的离子激发系统（6）可选择的等离子体激发模式和频率使等离子的密度和能量适应基材增压特性，以小压强进行电离作用（8）单独的PACVD工艺中不强制转动的时候，一种行星式转动也能够使溅射涂层统一沉积（9）特别是在PACVD过程特殊设计的进气系统能够优化涂层的均匀性和清洁度（10）泵的选择编排和上下的蒸汽压力调节，保证了涂层系统的高可靠性（11）iFIX基础的控制系统，易于批次、配方和报警处理（12）所有数据的采集，保证良好的过程控制。工艺过程中定制曲线图做到良好检查方案。在批次运行过程中，操作者也可更改或新建工艺（13）用户可自行设置进入控制系统的权限，以保证系统的质量和安全性